ZXMP3A16GTA,2061511,晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -5.4 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1 V,DIODES INC.
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ZXMP3A16GTA
ZXMP3A16GTA -
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -5.4 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1 V
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
DIODES INC.
DIODES INC.
制造商产品编号:
ZXMP3A16GTA
仓库库存编号:
2061511
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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ZXMP3A16GTA产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
-5.4A
漏源电压, Vds
-30V
在电阻RDS(上)
0.045ohm
电压 @ Rds测量
-10V
阈值电压 Vgs
-1V
功耗 Pd
2W
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
4引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
D00343
1306396
DURATOOL
镊子, 07型, 抗磁, 细曲形, 115 mm, 不锈钢体, 不锈钢尖
(EN)
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电流, Id 连续 -5.4A
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漏源电压, Vds -30V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -30V
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在电阻RDS(上) 0.045ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.045ohm
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电压 @ Rds测量 -10V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V
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阈值电压 Vgs -1V
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功耗 Pd 2W
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晶体管封装类型 SOT-223
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-223
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
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Q Q:
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ZXMP3A16GTA产地与重量
原产地:
China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
Y-Ex
税则号:
85412900
重量(千克):
.000112
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