ZXMN4A06GTA,7564910,晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 7 A, 40 V, 50 mohm, 10 V, 1 V,DIODES INC.
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ZXMN4A06GTA - 

晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 7 A, 40 V, 50 mohm, 10 V, 1 V

DIODES INC. ZXMN4A06GTA
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
ZXMN4A06GTA
仓库库存编号：
7564910
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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ZXMN4A06GTA产品概述

The ZXMN4A06GTA is a 40V N-channel Enhancement Mode MOSFET designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Low threshold
  • Low gate drive
  • AEC-Q101 qualified
  • UL94V-0 Flammability rating

电源管理, 音频, 电机驱动与控制, 国防, 军用与航空

ZXMN4A06GTA产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  7A  
  漏源电压, Vds  40V  
  在电阻RDS（上）  50mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1V  
  功耗 Pd  3.9W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

ZXMN4A06GTA产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00012
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