ZXM61N03F,9525289,晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 220 mohm, 10 V, 1 V,DIODES INC.
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ZXM61N03F - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 220 mohm, 10 V, 1 V

DIODES INC. ZXM61N03F
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
ZXM61N03F
仓库库存编号：
9525289
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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ZXM61N03F产品概述

The ZXM61N03F is a N-channel enhancement mode MOSFET uses diodes proprietary, high density, uses advanced trench technology. Designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. Suitable for low voltage and current applications.
  • Low on resistance
  • Low gate threshold voltage
  • Fast switching speed
  • AEC-Q101 Qualified

电源管理, 电机驱动与控制

ZXM61N03F产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  1.4A  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS（上）  220mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1V  
  功耗 Pd  625mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

ZXM61N03F产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000033
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