ZVP4424A,9526129,晶体管, MOSFET, P沟道, 200 mA, -240 V, 15 ohm, -10 V, -1.4 V,DIODES INC.
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
Laird产品选型
按产品分类选型
按制造商选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
28B0500-100
IRF9540
保险丝
amphenol
4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
2581138
新加坡2号仓库
>
半导体 - 分立器件
>
晶体管
>
MOSFET晶体管
>
场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
>
ZVP4424A
ZVP4424A -
晶体管, MOSFET, P沟道, 200 mA, -240 V, 15 ohm, -10 V, -1.4 V
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
DIODES INC.
DIODES INC.
制造商产品编号:
ZVP4424A
仓库库存编号:
9526129
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
ZVP4424A产品概述
The ZVP4424A is a -240V E-Line P-channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET ideal for electronic hook switch.
Low threshold
电源管理
ZVP4424A产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
200mA
漏源电压, Vds
-240V
在电阻RDS(上)
15ohm
电压 @ Rds测量
-10V
阈值电压 Vgs
-1.4V
功耗 Pd
750mW
晶体管封装类型
TO-226AA
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
ZVP4424A关联产品
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
EYGA121807A
1800066
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
石墨导热片
(EN)
搜索
EYGA091203SM
1800090
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
石墨导热片
(EN)
搜索
MPX02P
519960
MULTICOMP
晶体管垫片,TO92
(EN)
搜索
MPX05GFNB
519972
MULTICOMP
晶体管垫片
(EN)
搜索
ZVP4424A相关搜索
晶体管极性 P沟道
DIODES INC. 晶体管极性 P沟道
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道
DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道
电流, Id 连续 200mA
DIODES INC. 电流, Id 连续 200mA
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 200mA
DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 200mA
漏源电压, Vds -240V
DIODES INC. 漏源电压, Vds -240V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -240V
DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -240V
在电阻RDS(上) 15ohm
DIODES INC. 在电阻RDS(上) 15ohm
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 15ohm
DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 15ohm
电压 @ Rds测量 -10V
DIODES INC. 电压 @ Rds测量 -10V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V
DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V
阈值电压 Vgs -1.4V
DIODES INC. 阈值电压 Vgs -1.4V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -1.4V
DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -1.4V
功耗 Pd 750mW
DIODES INC. 功耗 Pd 750mW
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 750mW
DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 750mW
晶体管封装类型 TO-226AA
DIODES INC. 晶体管封装类型 TO-226AA
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-226AA
DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-226AA
针脚数 3引脚
DIODES INC. 针脚数 3引脚
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
工作温度最高值 150°C
DIODES INC. 工作温度最高值 150°C
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
产品范围 -
DIODES INC. 产品范围 -
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -
DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -
汽车质量标准 -
DIODES INC. 汽车质量标准 -
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -
DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -
MSL MSL 1 -无限制
DIODES INC. MSL MSL 1 -无限制
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
ZVP4424A产地与重量
原产地:
China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.000159
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
laird电子简介
|
laird产品
|
laird动态
|
按系列选型
|
按产品规格选型
|
laird产品应用
|
laird选型手册
Copyright © 2017
www.laird-tek.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:
800152669
邮箱:
sales@szcwdz.com