ZVP2106G,9525050RL,晶体管, MOSFET, P沟道, 450 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -3.5 V,DIODES INC.
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

ZVP2106G - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 450 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -3.5 V

DIODES INC. ZVP2106G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
ZVP2106G
仓库库存编号：
9525050RL
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

ZVP2106G产品概述

The ZVP2106G is a -60V P-channel Enhancement Mode Vertical DMOSFET designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • AEC-Q101 qualified
  • UL94V-0 Flammability rating
  • Halogen-free
  • Green product

电源管理

ZVP2106G产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  450mA  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS（上）  5ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -3.5V  
  功耗 Pd  2W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

ZVP2106G相关搜索

晶体管极性 P沟道  DIODES INC. 晶体管极性 P沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道   电流, Id 连续 450mA  DIODES INC. 电流, Id 连续 450mA  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 450mA  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 450mA   漏源电压, Vds -60V  DIODES INC. 漏源电压, Vds -60V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -60V  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -60V   在电阻RDS（上） 5ohm  DIODES INC. 在电阻RDS（上） 5ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 5ohm  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 5ohm   电压 @ Rds测量 -10V  DIODES INC. 电压 @ Rds测量 -10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V   阈值电压 Vgs -3.5V  DIODES INC. 阈值电压 Vgs -3.5V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -3.5V  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -3.5V   功耗 Pd 2W  DIODES INC. 功耗 Pd 2W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 2W  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 2W   晶体管封装类型 SOT-223  DIODES INC. 晶体管封装类型 SOT-223  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-223  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-223   针脚数 4引脚  DIODES INC. 针脚数 4引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 4引脚  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 4引脚   工作温度最高值 150°C  DIODES INC. 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  DIODES INC. 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  DIODES INC. 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  DIODES INC. MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

ZVP2106G产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00012
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com