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DMN63D8LDW-7 - 

双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双N沟道, 260 mA, 30 V, 2.8 ohm, 10 V, 1.5 V

DIODES INC. DMN63D8LDW-7
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制造商产品编号:
DMN63D8LDW-7
仓库库存编号:
2543518
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DMN63D8LDW-7产品信息

  晶体管极性  双N沟道  
  电流, Id 连续  260mA  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS(上)  2.8ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.5V  
  功耗 Pd  400mW  
  晶体管封装类型  SOT-363  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
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DMN63D8LDW-7产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.005
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