DMN5L06DWK-7,1713850,双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 305 mA, 50 V, 2 ohm, 5 V, 1 V,DIODES INC.
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4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
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DMN5L06DWK-7
DMN5L06DWK-7 -
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 305 mA, 50 V, 2 ohm, 5 V, 1 V
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
DIODES INC.
DIODES INC.
制造商产品编号:
DMN5L06DWK-7
仓库库存编号:
1713850
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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DMN5L06DWK-7产品信息
晶体管极性
双N沟道
电流, Id 连续
305mA
漏源电压, Vds
50V
在电阻RDS(上)
2ohm
电压 @ Rds测量
5V
阈值电压 Vgs
1V
功耗 Pd
250mW
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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电流, Id 连续 305mA
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漏源电压, Vds 50V
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在电阻RDS(上) 2ohm
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电压 @ Rds测量 5V
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双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 5V
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阈值电压 Vgs 1V
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双路场效应管MOSFET晶体管 阈值电压 Vgs 1V
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功耗 Pd 250mW
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双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 250mW
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晶体管封装类型 SOT-363
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针脚数 6引脚
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双路场效应管MOSFET晶体管 针脚数 6引脚
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工作温度最高值 150°C
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双路场效应管MOSFET晶体管 工作温度最高值 150°C
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双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 1 -无限制
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800152669
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DMN5L06DWK-7产地与重量
原产地:
China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412100
重量(千克):
.000006
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英国2号品牌选型
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