BSS84DW-7-F,1713835RL,双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -130 mA, -50 V, 10 ohm, -5 V, -1.6 V,DIODES INC.
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4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
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BSS84DW-7-F
BSS84DW-7-F -
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -130 mA, -50 V, 10 ohm, -5 V, -1.6 V
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制造商:
DIODES INC.
DIODES INC.
制造商产品编号:
BSS84DW-7-F
仓库库存编号:
1713835RL
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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BSS84DW-7-F产品信息
晶体管极性
双P沟道
电流, Id 连续
-130mA
漏源电压, Vds
-50V
在电阻RDS(上)
10ohm
电压 @ Rds测量
-5V
阈值电压 Vgs
-1.6V
功耗 Pd
300mW
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
BSS84DW-7-F替代选择
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
BSS84,215
1510765
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 6 ohm, -10 V, -2 V
(EN)
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电流, Id 连续 -130mA
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双路场效应管MOSFET晶体管 电流, Id 连续 -130mA
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漏源电压, Vds -50V
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双路场效应管MOSFET晶体管 漏源电压, Vds -50V
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在电阻RDS(上) 10ohm
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电压 @ Rds测量 -5V
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双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 -5V
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阈值电压 Vgs -1.6V
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双路场效应管MOSFET晶体管 阈值电压 Vgs -1.6V
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功耗 Pd 300mW
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双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 300mW
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晶体管封装类型 SOT-363
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双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管封装类型 SOT-363
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针脚数 6引脚
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双路场效应管MOSFET晶体管 针脚数 6引脚
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工作温度最高值 150°C
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双路场效应管MOSFET晶体管 工作温度最高值 150°C
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双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 1 -无限制
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800152669
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BSS84DW-7-F产地与重量
原产地:
China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.000006
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