BSS138DW-7-F,1713832,双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.2 V,DIODES INC.
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BSS138DW-7-F
BSS138DW-7-F -
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.2 V
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制造商:
DIODES INC.
DIODES INC.
制造商产品编号:
BSS138DW-7-F
仓库库存编号:
1713832
技术数据表:
(EN)
订购热线:
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BSS138DW-7-F产品信息
晶体管极性
双N沟道
电流, Id 连续
200mA
漏源电压, Vds
50V
在电阻RDS(上)
3.5ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
1.2V
功耗 Pd
200mW
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
BSS138DW-7-F替代选择
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
BSS138P
1859849
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 360 mA, 60 V, 0.9 ohm, 10 V, 1.2 V
(EN)
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漏源电压, Vds 50V
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在电阻RDS(上) 3.5ohm
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电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 1.2V
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双路场效应管MOSFET晶体管 阈值电压 Vgs 1.2V
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功耗 Pd 200mW
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晶体管封装类型 SOT-363
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针脚数 6引脚
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双路场效应管MOSFET晶体管 针脚数 6引脚
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工作温度最高值 150°C
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双路场效应管MOSFET晶体管 工作温度最高值 150°C
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BSS138DW-7-F产地与重量
原产地:
China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412100
重量(千克):
.000006
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