BSS123-7-F,1843725,晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 1.4 V,DIODES INC.

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BSS123-7-F -

晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 1.4 V

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制造商：: DIODES INC. DIODES INC.
制造商产品编号：: BSS123-7-F
仓库库存编号：: 1843725
技术数据表：: (EN)

订购热线： 400-900-3095 0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

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BSS123-7-F产品概述

The BSS123-7-F is a N-channel Enhancement Mode MOSFET uses diodes proprietary, high density and uses advanced trench technology. Matte tin finish annealed over alloy 42 lead frame terminals and UL94V-0 flame-rated moulded plastic case. Designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. Suitable for low voltage and current applications.

Low gate threshold voltage
Low input capacitance
Fast switching speed
AEC-Q101 Qualified
Low input/output leakage
High drain source voltage rating
Level-1 per J-STD-020 moisture sensitivity
Green product

电源管理, 电机驱动与控制

BSS123-7-F产品信息

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BSS123-7-F产地与重量

原产地：: China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：: 是
税则号：: 85412900
重量（千克）：: .000008

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

晶体管极性	N沟道
电流, Id 连续	170mA
漏源电压, Vds	100V
在电阻RDS（上）	6ohm
电压 @ Rds测量	10V
阈值电压 Vgs	1.4V
功耗 Pd	300mW
晶体管封装类型	SOT-23
针脚数	3引脚
工作温度最高值	150°C
产品范围	-
汽车质量标准	-
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

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晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 1.4 V

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