BSP75N,1251242RL,晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1.1 A, 60 V, 500 mohm, 10 V, 2.1 V,DIODES INC.
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BSP75N - 

晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1.1 A, 60 V, 500 mohm, 10 V, 2.1 V

DIODES INC. BSP75N
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BSP75N
仓库库存编号:
1251242RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSP75N产品概述

The BSP75N is a 60V Self-protected Low Side MOSFET intended as a general purpose switch. The MOSFET features monolithic over temperature, over-current, over voltage (active clamp) and ESD protected logic level functionality. The MOSFET replaces electromechanical relays and discrete circuits. When an 'intelligent' MOSFET senses the presence of any one of these potentially catastrophic conditions, it protects both itself and the load connected to it. The integration of these protection functions therefore improves overall system reliability. The addition of features such as status flags also helps improve overall system performance by providing a diagnostics capability that can aid the isolation and rectification of faults within a vehicle. Self-protected MOSFET can be categorized as either low side devices, where the load is switched with reference to ground or high side devices, where the load is switched with reference to a floating point.
  • Short-circuit protection with auto restart
  • Overvoltage protection (active clamp)
  • Thermal shutdown with auto restart
  • Over-current protection
  • Input protection (ESD)
  • High continuous current rating
  • Load dump protection (actively protects load)
  • Logic level input

工业, 电源管理, 电机驱动与控制, 车用

BSP75N产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  1.1A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  500mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.1V  
  功耗 Pd  1.5W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSP75N产地与重量

原产地:
Germany

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000124
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