BS170F,9526005RL,晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V,DIODES INC.
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BS170F - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V

DIODES INC. BS170F
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BS170F
仓库库存编号:
9526005RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BS170F产品概述

The BS170F from Diode Inc is a surface mount, N channel enhancement mode vertical DMOS FET in SOT-23 package.
  • Automotive grade AEC-Q101 qualified
  • Drain to source Voltage (Vds) of 60V
  • Gate to source voltage (Vgs) of ±20
  • Continuous drain current (Id) 0.15mA to 25°C
  • Power dissipation (pd) of 330mW
  • Operating temperature range -55°C to 150°C
  • Low on state resistance of 5ohm at Vgs 10V

电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业, 车用

BS170F产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  150mA  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  5ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  330mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BS170F产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.000033
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