CY7C1021D-10VXI,2115417,芯片, 存储器, SRAM, 1MB, 并行口, 10NS, 44SOJ,CYPRESS SEMICONDUCTOR
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CY7C1021D-10VXI - 

芯片, 存储器, SRAM, 1MB, 并行口, 10NS, 44SOJ

CYPRESS SEMICONDUCTOR CY7C1021D-10VXI
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
CY7C1021D-10VXI
仓库库存编号:
2115417
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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CY7C1021D-10VXI产品概述

The CY7C1021D-10VXI is a 1MB high performance CMOS Static Random Access Memory (SRAM) organized as 65536 words by 16-bit. This device has an automatic power down feature that significantly reduces power consumption when deselected. The input and output pins are placed in a high impedance state when the device is deselected, outputs are disabled, BHE and BLE are disabled or during a write operation. Write to the device by taking chip enable and write enable inputs LOW. If byte low enable is LOW, then data from I/O pins, is written into the location specified on the address pins. If byte high enable is LOW, then data from I/O pins is written into the location specified on the address pins. Read from the device by taking chip enable and output enable LOW while forcing the write enable HIGH. If byte low enable is LOW, then data from the memory location specified by the address pins appears on I/O0 to I/O7. If byte high enable is LOW, then data from memory appears on I/O8 to I/O15.
  • Pin and function-compatible with CY7C1021B
  • High speed - 10ns
  • Low active power
  • Low CMOS standby power
  • 2V Data retention
  • Automatic power-down when deselected
  • CMOS for optimum speed/power
  • Independent control of upper and lower bits

计算机和计算机周边, 工业, 便携式器材

CY7C1021D-10VXI产品信息

  存储器容量  1Mbit  
  SRAM 内存配置  64K x 16位  
  电源电压范围  4.5V 至 5.5V  
  封装类型  SOJ  
  针脚数  44引脚  
  存取时间  10ns  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  85°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

CY7C1021D-10VXI产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423245
重量(千克):
.003299
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