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电源负载开关, AEC-Q100, 高压侧, 1输出, 13.5 V, 100 A/0.005 ohm输出, SOIC-12
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芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 高/低压侧, SOIC-16
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芯片, 电机驱动器, 步进, SOIC-24
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LDO 稳压器, 可调, 2.5 V至20 V输入, 340 mV压差, 1.21-19.66V/1.5 A 输出, TO-263-5
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固定LDO 稳压器, 3.3 V至45 V输入, 250 mV压差, 5 V和400 mA 输出, TO-263-3
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芯片, 2相步进电机驱动器, DSO24
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芯片, 晶体管, IGBT 驱动器, 半桥接器, SOIC-36
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芯片, 电机控制器, AEC-Q100, DC, SOIC-20
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芯片, 半桥式驱动器, 800mA, DIP8
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芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, AEC-Q100, SSOP-24
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芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 半桥接器, NSOIC-8
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芯片, 功率负载开关, AEC-Q100, 4.5V, SOIC-20
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芯片, 晶体管, IGBT 驱动器, 高/低压侧, SOIC-16
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电源负载开关, AEC-Q100, 高压侧, 2输出, 28 V, 56 A/0.032 ohm输出, SOIC-14
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芯片, 电源负载开关, AEC-Q100, TO-252-5
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双路驱动器, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, DIP-8
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芯片, 电源负载开关, AEC-Q100, SOIC-8
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芯片, 电机驱动器, AEC-Q100, DC, 1A, SOIC-20
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芯片, 电机驱动器, 双路, 半桥, TO-263-7
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双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
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电源负载开关, AEC-Q100, 高压侧, 1输出, 13.5 V, 135 A/0.0015 ohm输出, TO-263-7
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芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 低压侧, NSOIC-8
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芯片, 电源负载开关, AEC-Q100, SOIC-8
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双功率芯片, 半桥, 10V-20V电源, 660ns延迟, DIP-8
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芯片, 半桥驱动器, 单路, 24SSOP