ROHM
单管二极管 齐纳, 高静电防护, 16.86 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 1.5 V
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.057 ohm, 10 V, 2.5 V
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 20 V, 0.34 ohm, 4.5 V, 1 V
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.066 ohm, 10 V, 4 V
ROHM
肖特基整流器, 30 V, 200 mA, 单, SOD-323FL, 2 引脚, 450 mV
ROHM
肖特基整流器, 60 V, 3 A, 单, SOD-123FL, 2 引脚, 610 mV
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 60 V, 0.024 ohm, 10 V, 2.5 V
ROHM
二极管阵列 齐纳, 16 V, 双系列, 200 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-323
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V
ROHM
肖特基整流器, 45 V, 200 mA, 单, SOD-523, 2 引脚, 540 mV
ROHM
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -50 V, 320 MHz, 2 W, -2 A, 180 hFE
ROHM
肖特基整流器, 40 V, 100 mA, 单, SOD-523, 2 引脚, 480 mV
ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 16 A, 1.65 V, 94 W, 650 V, TO-263S, 3 引脚
ROHM
二极管, 碳化硅肖特基, AEC-Q101 650V系列, 双共阴极, 650 V, 20 A, 15 nC, TO-247
ROHM
Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, 18 V, 5.6 V
ROHM
单管二极管 齐纳, 43 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率
ROHM
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9 A, 30 V, 0.0125 ohm, 4.5 V, 1.5 V
ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
ROHM
单管二极管 齐纳, 27 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 5 V
ROHM
肖特基整流器, 100 mA, 单, SOD-923, 2 引脚, 350 mV