产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：DIODES INC.,
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 300 V, 30 MHz, 1 W, 500 mA, 50 hFE
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 60 V, 2 A, PowerDI 123, 2 引脚, 620 mV
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 mW, 600 mA, 100 hFE
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V
(EN)
DIODES INC.
快速/超快二极管, 单, 200 V, 2 A, 920 mV, 25 ns, 50 A
(EN)
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肖特基整流器, 100 V, 8 A, 单, PowerDI 5, 3 引脚, 850 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 2.4 V, 350 mW, SOT-23, 8 %, 3 引脚, 150 °C
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单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 150 MHz, 1 W, 1 A, 40 hFE
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 60 V, 1.5 ohm, 10 V, 3 V
(EN)DIODES INC.
标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.3 V, 500 ns, 30 A
(EN)DIODES INC.
快速/超快二极管, 单, 400 V, 1 A, 1.3 V, 50 ns, 30 A
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晶体管, MOSFET, P沟道, -2.7 A, -20 V, 100 mohm, -4.5 V, -890 mV
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晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 1 V
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单晶体管 双极, NPN, 160 V, 155 MHz, 625 mW, 1 A, 450 hFE
(EN)
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单管二极管 齐纳, 18 V, 200 mW, SOD-323, 6 %, 2 引脚, 150 °C
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小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 700 mA, 1 V, 13 A, 150 °C
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二极管 桥式整流, 单相, 100 V, 400 mA, SMD, 1 V, 4 引脚
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肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 200 V, 10 A, PowerDI 5, 3 引脚, 880 mV
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单晶体管 双极, NPN, 100 V, 150 MHz, 500 mW, 1 A, 100 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 310 mW, 500 mA, 250 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 175 MHz, 1 W, 2 A, 100 hFE
(EN)DIODES INC.
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 40 V, 1 A, PowerDI 323, 2 引脚, 550 mV
(EN)DIODES INC.
小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 320 mV, 600 mA, 125 °C
(EN)
