产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：晶体管封装类型 DIP,
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 60 V, 100 mohm, 5 V, 2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 100 V, 270 mohm, 5 V, 2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 200 V, 800 mohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 100 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 60 V, 200 mohm, 5 V, 2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 700 mA, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 50 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, HEXDIP
(EN)
