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• SI2301CDS-T1-GE3.
  
• 1690262

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：功耗 Pd 860mW,
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• SI3442BDV-T1-E3
  
• 1497610

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 1.8 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：功耗 Pd 860mW,
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• SI2301CDS-T1-GE3
  
• 2371823

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 3.1A TO-236, 整卷

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：功耗 Pd 860mW,
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• SI3441BDV-T1-GE3
  
• 1781627

• VISHAY

  晶体管, P沟道

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：功耗 Pd 860mW,
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• SI3442BDV-T1-E3
  
• 1497610RL

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 1.8 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：功耗 Pd 860mW,
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