产品分类：半导体 - 分立器件,规格：功耗 Pd 280W,
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.21 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0024 ohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 400 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 200 V, 0.055 ohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 0.4 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0048 ohm, 20 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 400 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 250 V, 75 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 250 V, 0.051 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 38 A, 600 V, 70 mohm, 10 V, 3.9 V
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, Sixpack, N沟道, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module
(EN)
VISHAY
场效应管, N通道, MOSFET, 200V, 46A, TO-247AC
(EN)
VISHAY
场效应管, N通道, MOSFET, 600V, 16A, TO-247
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
(EN)
