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• SIHB20N50E-GE3
  
• 2471939

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：功耗 Pd 179W,
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• SIHP20N50E-GE3.
  
• 2470782

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 19A, TO220AB-3

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：功耗 Pd 179W,
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• SIHP20N50E-GE3
  
• 2471944

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：功耗 Pd 179W,
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• SIHG20N50E-GE3
  
• 2471941

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：功耗 Pd 179W,
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• SIHB20N50E-GE3.
  
• 2470778

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 19A, TO-263-3

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：功耗 Pd 179W,
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• SIHB20N50E-GE3
  
• 2471939RL

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：功耗 Pd 179W,
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• SIHG20N50E-GE3.
  
• 2470779

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 19A, TO247AC-3

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：功耗 Pd 179W,
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