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• SQJ431EP-T1_GE3
  
• 2617107

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -200 V, 0.178 ohm, -10 V, -3 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：MSL MSL 3 - 168小时,
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• SQ2318AES-T1_GE3
  
• 2617105

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：MSL MSL 3 - 168小时,
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• SQ2362ES-T1_GE3
  
• 2617102

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：MSL MSL 3 - 168小时,
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• SQ2309ES-T1_GE3
  
• 2617108

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：MSL MSL 3 - 168小时,
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• SQ2389ES-T1_GE3
  
• 2617106

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：MSL MSL 3 - 168小时,
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• SQ2308CES-T1_GE3
  
• 2617104

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：MSL MSL 3 - 168小时,
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• SQ3427AEEV-T1_GE3
  
• 2617100

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -60 V, 0.079 ohm, -10 V, -2 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：MSL MSL 3 - 168小时,
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• SQ7414AEN-T1_GE3
  
• 2617098

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.022 ohm, 10 V, 2 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：MSL MSL 3 - 168小时,
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• SQM120P06-07L_GE3
  
• 2617099

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -120 A, -60 V, 0.0056 ohm, -10 V, -2 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：MSL MSL 3 - 168小时,
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• SQ7415AEN-T1_GE3
  
• 2617110

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.022 ohm, 10 V, 2 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：MSL MSL 3 - 168小时,
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• SQ1421EDH-T1_GE3
  
• 2617103

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.6 A, -60 V, 0.23 ohm, -10 V, -2 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：MSL MSL 3 - 168小时,
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• SQ2361AEES-T1_GE3
  
• 2617109

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.8 A, -60 V, 0.125 ohm, 10 V, -2.5 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：MSL MSL 3 - 168小时,
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