产品分类：半导体 - 分立器件,规格：MSL MSL 1 -无限制,
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 20 V, 0.022 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 2950 μohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 380 MHz, 500 mW, -700 mA, 120 hFE
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 3 V
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 900 mW, 500 mA, 250 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 600 mW, 500 mA, 220 hFE
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN+PNP, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 55 V, 45 mohm, 10 V, 2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 75 MHz, 625 mW, 2 A, 75 hFE
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 55 V, 16 mohm, 10 V, 2.3 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
二极管, 射频/PIN, 单, 1.5 ohm, 30 V, SOD-923, 2引脚, 0.4 pF
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 15 V, 350 mW, 200 mA, 40 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 140 MHz, 1.6 W, 7 A, 200 hFE
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 40 V, 0.048 ohm, 10 V, 2.2 V
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 200 mA, -20 V, 0.8 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 27 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)ROHM
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 200 mW, 100 mA, 120 hFE, SOT-666
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 30 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
