产品分类：半导体 - 分立器件,规格：MSL MSL 1 -无限制,
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -20 V, 80 MHz, 1.1 W, -4 A, 400 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 60 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 80 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2.9 V
(EN)
INFINEON
MOSFET, N-CH, 75V, 197A, TO-263CB-7
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 60 V, 0.002 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 124 A, 40 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1.8 V
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 12 V, 0.033 ohm, 4.5 V, 400 mV
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 40 V, 0.0178 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 110 MHz, 1.35 W, -6 A, 20 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 270 A, 80 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2.9 V
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm
(EN)STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 0.0055 ohm, 10 V, 2.8 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 117 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.5 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 100 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 47 kohm
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 145 MHz, 420 mW, -1 A, 63 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 145 MHz, 420 mW, -1 A, 40 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 145 MHz, 420 mW, -1 A, 63 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 145 MHz, 420 mW, -1 A, 40 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 145 MHz, 420 mW, -1 A, 100 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 180 MHz, 420 mW, 1 A, 63 hFE
(EN)
