产品分类：半导体 - 分立器件,规格：MSL MSL 1 -无限制,
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -45 V, 100 MHz, 280 mW, -100 mA, 420 hFE
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, 0.46 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 15 V, 500 MHz, 200 mW, 200 mA, 20 hFE
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 600 V, 4 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 40 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 55 A, 30 V, 0.0014 ohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 100 V, 62 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 140 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 V
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 45 V, 100 MHz, 280 mW, 100 mA, 420 hFE
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道 + 肖特基, 16 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 1.1 V
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0048 ohm, 10 V, 4 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0033 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
