NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 80 V, 0.016 ohm, 10 V, 1.5 V
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 2 V
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.13 ohm, 4.5 V, 1 V
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 60 V, 0.073 ohm, 10 V, 2.4 V
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 150 mW, -600 mA, 50 hFE
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 55 V, 0.14 ohm, 10 V, 1 V
TEXAS INSTRUMENTS
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 1.5 V
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 V
INFINEON
单晶体管, IGBT, N通道, 70 A, 1.7 V, 273 W, 650 V, TO-247AC, 3 引脚
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 10 电阻比率
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 100 V, 0.075 ohm, 10 V, 2.5 V
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 145 MHz, 650 mW, -1 A, 100 hFE
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 500 mA, 100 hFE
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 76 A, 600 V, 0.038 ohm, 10 V, 4 V
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 420 hFE
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -500 mA, 160 hFE
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 55 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.034 ohm, 10 V, 3 V