产品分类：半导体 - 分立器件,规格：MSL MSL 1 -无限制,
ROHM
Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, 18 V, 5.6 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 3.7 A, -70 V, 160 mohm, 10 V, -1 V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 150 MHz, 600 mW, 100 mA, 330 hFE
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9 A, 30 V, 0.0125 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)
BROADCOM LIMITED
二极管, 射频/PIN, 3 ohm, 50 V, SOT-25, 5引脚, 0.22 pF
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 2400 μohm, 10 V, 3 V
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 40 A, 2.5 V, 160 W, 600 V, TO-263, 3 引脚
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 5 V
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 85 A, 1.65 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 220 hFE
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 180 MHz, 200 mW, 150 mA, 120 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 200 mA, 30 hFE
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 45 V, 0.018 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 30 V, 0.0207 ohm, 10 V, 2 V
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
(EN)
