产品分类：半导体 - 分立器件,规格：MSL MSL 1 -无限制,
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 300 MHz, 200 mW, 500 mA, 120 hFE
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, 高速, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 150 mA, 820 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 420 hFE
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, NPN, 50 V, 600 mW, 3 A, 200 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 140 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 60 hFE
(EN)ROHM
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 320 MHz, 200 mW, -1 A, 270 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 200 hFE
(EN)ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 5 V
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 50 MHz, 1.5 W, -1.5 A, 100 hFE
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 650 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 250 V, 4 MHz, 200 W, 16 A, 8 hFE
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0049 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, 通用, NPN, 45 V, 250 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-666
(EN)ROHM
单晶体管 双极, 高速, NPN, 60 V, 300 MHz, 200 mW, 500 mA, 180 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 1.5 W, 1.5 A, 25 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, 95 hFE
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm
(EN)ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0129 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.095 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
