产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：DIODES INC.,规格：MSL MSL 1 -无限制,
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 50 V, 2 ohm, 5 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -400 mA, -20 V, 0.7 ohm, -4.5 V, -500 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -3.6 A, -20 V, 0.023 ohm, -4.5 V, -700 mV
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -950 mA, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -20 V, 75 mohm, -4.5 V, -600 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.7 A, -20 V, 100 mohm, -4.5 V, -890 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 4.2 A, -20 V, 45 mohm, -4.5 V, -500 mV
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.0043 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 16.1 A, -30 V, 25 mohm, -10 V, -1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -5 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 3.8 A, -30 V, 56 mohm, -10 V, -1.8 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 3.5 A, -30 V, 59 mohm, -10 V, -600 mV
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晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 8.5 mohm, 10 V, 1.5 V
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单晶体管 双极, NPN, 350 V, 50 MHz, 300 mW, 500 mA, 30 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 600 mW, 1 A, 100 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 20 V, 100 MHz, 600 mW, 2 A, 250 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 150 MHz, 600 mW, 100 mA, 330 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 600 mW, 100 mA, 250 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 600 mW, 100 mA, 250 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 600 mW, 500 mA, 220 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 100 MHz, 600 mW, 100 mA, 300 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, POWERDI?5, NPN, 60 V, 130 MHz, 3.2 W, 6 A, 200 hFE
(EN)
