产品分类：半导体 - 分立器件,规格：电压 @ Rds测量 20V,
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 2.6 V
(EN)
WOLFSPEED
单晶体管 双极, 6件, N沟道, 87 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, 20 V, 2.3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 2.3A, TO-236, 整卷
(EN)
WOLFSPEED
单晶体管 双极, Six N Channel, 29.5 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 2.2 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 3.9A, TO-236, 整卷
(EN)
VISHAY
场效应管, P通道, MOSFET, -60V, 19A, TO-252, 整卷
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 11A, TO-263, 整卷
(EN)
WOLFSPEED
单晶体管 双极, 双N沟道, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, 20 V, 2.6 V
(EN)WOLFSPEED
单晶体管 双极, 双N沟道, 404 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, 20 V, 2.3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 190 A, 100 V, 3.3 mohm, 20 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 2.7A TO-236, 整卷
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 17.2A, 30V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 3.2A, TO-236
(EN)
VISHAY
N CHANNEL MOSFET, 30V, 60A, SOIC
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 60 V, 0.0126 ohm, 20 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 3.8A, SOIC
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 3.8A, POWERPAK-SO, 整卷
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, 18.6A, SOIC-8, 整卷
(EN)VISHAY
N CHANNEL MOSFET, 20V, 60A, SOIC
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, 60V V(BR)DSS
(EN)
VISHAY
N CHANNEL MOSFET, 30V, 10.1A, SC-70
(EN)
WOLFSPEED
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, 20 V, 2.6 V
(EN)
WOLFSPEED
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7KV, 4.9A, TO-247-3
(EN)
