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• SI4599DY-T1-GE3.
  
• 2344482

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 40V, 6.8A, SOIC-8

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：电流, Id 连续 6.8A,
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• SI4599DY-T1-GE3
  
• 1779270

• VISHAY

  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.8 A, 40 V, 29.5 mohm, 10 V, 1.4 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：电流, Id 连续 6.8A,
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• SI4100DY-T1-GE3
  
• 1779251

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 100 V, 51 mohm, 10 V, 2 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：电流, Id 连续 6.8A,
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• SI4100DY-T1-GE3
  
• 1779251RL

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 100 V, 51 mohm, 10 V, 2 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：电流, Id 连续 6.8A,
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• SI4599DY-T1-GE3
  
• 1779270RL

• VISHAY

  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.8 A, 40 V, 29.5 mohm, 10 V, 1.4 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：电流, Id 连续 6.8A,
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