产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：INFINEON,规格：产品范围 -,
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晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 240 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module
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晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 3 mohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
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晶闸管模块, 1.6KV, 330A, 模块
(EN)
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晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
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二极管模块, 2.6 kV, 540 A, 1.48 V, 双路串联
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 660 A, 3.4 V, 4.8 kW, 3.3 kV, Module
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单晶体管, IGBT, 3 A, 2.8 V, 29 W, 1.2 kV, TO-220, 3 引脚
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场效应管, MOSFET晶体管, 整卷
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晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
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晶闸管模块, 2.2KV, 430A, 模块
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET晶体管, 整卷
(EN)
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晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 440 A, 1.95 V, 1.8 kW, 1.7 kV, Module
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场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 900MA, TSOP, 整卷
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晶体管, 双路, N通道, 场效应管, MOSFET, 20V, 微型8, 整卷
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场效应管, P通道, MOSFET, -30V, -16A, SOIC, 整卷
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场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 5.3A, SOT-23, 整卷
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -3.6 A, SOT-23, 整卷
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场效应管, N通道, MOSFET, 20V, 6.5A, MICRO-6, 整卷
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V
(EN)INFINEON
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 27A, PQF
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场效应管, MOSFET, 双N/P沟道 2W, 8-SOIC
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晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
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场效应管, MOSFET, N沟道 通道, 60V, 195A, TO-262-3
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晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 80 V, 10.3 mohm, 10 V, 2.8 V
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