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• SI4447DY-T1-E3
  
• 1690122

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, 4.5A, SOIC

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：阈值电压 Vgs -2.2V,
• 搜索

• SI7635DP-T1-GE3
  
• 2646394

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -20 V, 0.004 ohm, -10 V, -2.2 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：阈值电压 Vgs -2.2V,
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• SI7635DP-T1-GE3.
  
• 1781668

• VISHAY

  场效应管, P通道, MOSFET, -40V, 40A

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：阈值电压 Vgs -2.2V,
• 搜索

• SI7635DP-T1-GE3
  
• 2679704

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -20 V, 0.004 ohm, -10 V, -2.2 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：阈值电压 Vgs -2.2V,
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• SI7997DP-T1-GE3
  
• 2679706

• VISHAY

  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -60 A, -30 V, 0.0045 ohm, -10 V, -2.2 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：阈值电压 Vgs -2.2V,
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• SI7997DP-T1-GE3
  
• 2646396

• VISHAY

  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -60 A, -30 V, 0.0045 ohm, -10 V, -2.2 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：阈值电压 Vgs -2.2V,
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