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• SI4178DY-T1-GE3
  
• 2646381

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.8 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：阈值电压 Vgs 2.8V,
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• SI4456DY-T1-E3
  
• 1792231

• VISHAY

  晶体管, N沟道

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：阈值电压 Vgs 2.8V,
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• SI4178DY-T1-GE3
  
• 2679691

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.8 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：阈值电压 Vgs 2.8V,
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• SI7288DP-T1-GE3
  
• 2646392

• VISHAY

  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.0156 ohm, 10 V, 2.8 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：阈值电压 Vgs 2.8V,
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• SI7288DP-T1-GE3
  
• 2679702

• VISHAY

  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.0156 ohm, 10 V, 2.8 V

  (EN)
  产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：阈值电压 Vgs 2.8V,
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