产品分类：半导体 - 分立器件,规格：汽车质量标准 -,
MULTICOMP
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE
(EN)
VISHAY
二极管 小信号, 单, 100 V, 150 mA, 1 V, 8 ns, 2 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 双共阳极, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
(EN)
VISHAY
标准恢复二极管, 400 V, 3 A, 单, 1.1 V, 1.5 μs, 40 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 170 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
齐纳二极管
(EN)
VISHAY
二极管 小信号, 单, 50 V, 300 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -500 mA, 160 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 通用, 12 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 400 V, 6 A, 单, 1 V, 400 A
(EN)
MULTICOMP
快速/超快二极管, 400 V, 1 A, 单, 1.3 V, 35 ns, 30 A
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -1.1 V
(EN)
VISHAY
二极管阵列, ZEN, 共阴极, 0.3W, SOT
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, P沟道, -300 mA, -30 V, 2.8 ohm, -4.5 V, -900 mV
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 1W, 5.1V, DO-213
(EN)
VISHAY
快速/超快二极管, 200 V, 1 A, 单, 1 V, 50 ns, 30 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 2.7 V, 225 mW, SOT-23, 7 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双极晶体管
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 98 mohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
小信号二极管, 200mA, Vrrm 100V
(EN)INFINEON
小信号肖特基二极管, 双系列, 4 V, 130 mA, 600 mV, 125 °C
(EN)
DIODES INC.
标准恢复二极管, 100 V, 1 A, 单, 1 V, 30 A
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 310 mW, 500 mA, 100 hFE
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 15 V, 250 mW, TO-236AB, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
