产品分类：半导体 - 分立器件,规格：汽车质量标准 -,
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 200 mW, SOD-323, 6 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
快速/超快功率二极管, 1 kV, 3 A, 单, 1.7 V, 75 ns, 150 A
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -3.2A, -30V, 1.25W
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 350 mW, 1 A, 100 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 音频, PNP, -150 V, 30 MHz, 50 W, -8 A, 40 hFE
(EN)
NEXPERIA
DIODE, ZENER, 33V, 250mW, SOT-23-3
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 16 V, 500 mW, SOD-323F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 200 mA, 100 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 10 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)DIODES INC.
单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 20 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 2 W, SOD-128, 5 %, 2 引脚, 85 °C
(EN)
VISHAY
FAST RECOVERY DIODE, 2A, 50V, DO-214AA
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 1.5 W, SOT-223, 5 %, 4 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -20 V, 0.0085 ohm, -4.5 V, -600 mV
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 550 V, 0.36 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 160 V, 250 mW, 300 mA, 80 hFE
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 500 V, 0.86 ohm, 13 V, 3 V
(EN)
VISHAY
整流器, 快速, 单路, 1A, 1KV, DO-214AC-2
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.4 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.2 V
(EN)
