产品分类：半导体 - 分立器件,规格：汽车质量标准 -,
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 40 MHz, 1.5 W, 500 mA, 180 hFE
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 36 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.2 A, 20 V, 0.132 ohm, 4.5 V
(EN)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
齐纳二极管, 500mW, 3.6V, SOD-123
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 125 hFE
(EN)
NEXPERIA
VOLTAGE REGULATOR DIODE
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 15 V, 400 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
肖特基整流器, 60 V, 10 A, 双共阴极, TO-220AB, 3 引脚, 560 mV
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 300 mW, SOD-523, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.9 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, N通道
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, 双系列, 85 V, 110 mA, 1.25 V, 3 μs, 4 A
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 100 V, 1 A, 单, DO-214AC, 2 引脚, 860 mV
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -2.6 A, -100 V, 0.15 ohm, -10 V, -2 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 200 V, 800 mW, SMD, 2 引脚, 175 °C
(EN)
VISHAY
整流器, 肖特基, 5A, 40V, DO-201AD
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
DIODE, ZENER, 1W, 5.6V, MINI2-F3-B
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -12A, SOIC
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双极晶体管阵列, 四极PNP, -40 V, 1 W, -200 mA, 30 hFE, SOIC
(EN)
STMICROELECTRONICS
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP
(EN)
MULTICOMP
二极管, 超快恢复型, 200mA, 40V, DFN1006
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 400 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 1.3W, 100V, DO-41
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.35 W, 1 A, 100 hFE
(EN)
