产品分类：半导体 - 分立器件,规格：汽车质量标准 -,
DIODES INC.
二极管 小信号, 双共阴极, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 310 mW, 500 mA, 100 hFE
(EN)
MULTICOMP
二极管, 超快恢复型, 200mA, 30V, SOT-23-3
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, POWERDI?5, NPN, 60 V, 130 MHz, 3.2 W, 6 A, 200 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -60 V, 105 mohm, -10 V, -1.6 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, 双N沟道, 40V, SOIC
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, D-PAK
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 2.4 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, JFET, N沟道, -30V, SOT-23
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-263, 3 引脚
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 335 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
齐纳二极管, VZ:20V
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
二极管 小信号, 单, 80 V, 200 mA, 1.1 V, 10 ns, 1 A
(EN)
VISHAY
标准恢复二极管, 100 V, 6 A, 单, 1.25 V, 2.5 μs, 400 A
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 950 μohm, 10 V, 1.4 V
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 200 mW, SOD-323, 6 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
快速/超快二极管, 100 V, 1 A, 单, 1 V, 50 ns, 30 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 3 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 1.7 V
(EN)PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
单管二极管 齐纳, 10 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, PNP, -60 V, 150 MHz, 480 mW, -1.5 A, 285 hFE
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 200 V, 90 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
MULTICOMP
肖特基二极管, 3A, 20V, DO-201AD
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 85 A, 40 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.2 V
(EN)
