产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：ROHM,规格：汽车质量标准 -,
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 12 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 高静电防护, 5.368 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 5.1 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 210 MHz, 500 mW, 1 A, 120 hFE
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 2.2 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 300 mV
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 20 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
小信号肖特基二极管, 单, 60 V, 1 A, 580 mV, 30 A, 125 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 11 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 350 MHz, 200 mW, 500 mA, 820 hFE
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -39 A, -30 V, 0.0061 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)ROHM
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 200 mA, 100 hFE
(EN)ROHM
小信号肖特基二极管, 单, 25 V, 1 A, 350 mV, 30 A, 125 °C
(EN)
ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管 双极, 高速, NPN, 32 V, 250 MHz, 200 mW, 500 mA, 120 hFE
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 8.2 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 高静电防护, 5.856 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
双极晶体管阵列, 混合式, PNP, -50 V, 150 mW, -150 mA, 120 hFE, SC-88
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 10 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.8 ohm, 2.5 V, 1 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 16 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
