产品分类：晶体管,规格：工作温度最高值 125°C,
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 840 A, 2 V, 3.15 kW, 1.7 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 330 A, 3.4 V, 2.2 kW, 3.3 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.2 kA, 2.5 V, 13.5 kW, 4.5 kV, Module
(EN)
ANALOG DEVICES
双极晶体管阵列, 双NPN, 45 V, 1.8 W, 25 mA, 430 hFE, TO-78
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 45 A, 30 V, 0.0039 ohm, 4.5 V, 1.9 V
(EN)
ANALOG DEVICES
单片双晶体管
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 3.2 V, 780 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 310 A, 2 V, 1.25 kW, 1.7 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 370 A, 3.2 V, 1.95 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 370 A, 3.2 V, 1.95 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 105 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 650 A, 1.7 V, 2.25 kW, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.7 V, 2.8 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 70 A, 3.2 V, 355 W, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 620 A, 2 V, 2.25 kW, 1.7 kV, Module
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 90 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, Y4-M5
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管, IGBT, 80 A, 2.8 V, 240 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 660 A, 3.4 V, 4.8 kW, 3.3 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 2.3 kA, 2 V, 8.95 kW, 1.7 kV, Module
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 2.2 V, 540 W, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 480 A, 1.7 V, 1.45 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
