产品分类：晶体管,规格：工作温度最高值 125°C,
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0077 ohm, -4.5 V, 900 mV
(EN)
MULTICOMP
晶体管, 单结(UJT), 2 A, 1 μA, 6 mA, TO-18, 3引脚, 125 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 15 V, 250 MHz, 200 mW, 700 mA, 200 hFE
(EN)MULTICOMP
晶体管, 单结(UJT), 2 A, 1 μA, 10 mA, TO-18, 3引脚, 125 °C
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
单晶体管 双极, NPN, 36 V, 100 mA
(EN)MULTICOMP
晶体管, 单结(UJT), 1.5 A, 1.5 A, 7 mA, TO-92, 3引脚, 125 °C
(EN)MULTICOMP
晶体管, 单结(UJT), 1.5 A, 1 μA, 5 mA, TO-92, 3引脚, 125 °C
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 950 mW, 500 mA, SOIC
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 350 mA, SOIC
(EN)
NTE ELECTRONICS
场效应管, JFET, N沟道, -30V, TO-92
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
功率晶体管
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
单晶体管 双极, NPN, 36 V, 130 mA
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
单晶体管, IGBT, 135 A, 2.2 V, 560 W, 1.2 kV, Module, 7 引脚
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
单晶体管 双极, NPN, 36 V, 2.2 A
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 422 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 10 A, 600 V, 33 W, SDIP
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 15 A, 3.2 V, 80 W, 1.2 kV, EconoPACK
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 130 A, 3.2 V, 660 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 180 A, 3.2 V, 960 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.7 V, 155 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 105 A, 2.3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPIM
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 1.7 V, 700 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 510 A, 3.2 V, 2.5 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
