产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：功耗 Pd 625mW,
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -830 mA, -20 V, 0.28 ohm, -4.5 V, -700 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 20 V, 0.24 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 5 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 170 mA, -50 V, 10 ohm, -5 V, -2 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 170 mA, -50 V, 10 ohm, -5 V, -800 mV
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 20 V, 180 mohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 220 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 900 mA, -20 V, 600 mohm, 4.5 V, -700 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 350 mohm, 10 V, -1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 640 mA, 100 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 150 mohm, -4.5 V, 700 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -700 mA, -100 V, 1 ohm, -10 V, -4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.1 A, -60 V, 400 mohm, -10 V, -3 V
(EN)
