产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：功耗 Pd 350mW,
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 480 mA, 30 V, 1.1 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 20 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.21 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 20 V, 0.27 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 0.43 ohm, -4.5 V, -700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 30 V, 0.39 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.17 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.21 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 20 V, 0.27 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 0.43 ohm, -4.5 V, -700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 30 V, 0.39 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -580 mA, -20 V, 420 mohm, -4.5 V, 700 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -385 mA, -30 V, 1.25 ohm, -10 V, -2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -185 mA, -60 V, 10 ohm, -4.5 V, -2 V
(EN)
