产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：阈值电压 Vgs -,
MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 350 V, 17 ohm, 0 V
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 5 V
(EN)
MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 360 mA, 90 V, 3.2 ohm, 0 V
(EN)
MICROCHIP
芯片, 场效应管, MOSFET, 耗尽模式, 350V, 35Ω, 3-SOT-23, T/R
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 100 V, 0.16 ohm, 10 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 17.2A, 30V
(EN)
RENESAS
晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 100 V, 11 mohm, 10 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3A, 100V SOIC-8
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -16.3 A, -100 V, 0.115 ohm, -10 V
(EN)MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 500 V, 7 ohm, 0 V
(EN)
MICROCHIP
MOSFET, N CHANNEL, 450V, 0.1A, TO-243AA-3
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 0.007 ohm, 10 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, -100 A, -75 V, 0.0062 ohm, -10 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -30 V, 900 mohm, -10 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 30 V, 170 mohm, 4.5 V
(EN)
MICROCHIP
场效应管, MOSFET, 耗尽模式, 500V, 1KΩ, 3-SOT-89, 卷装
SEMELAB
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 160 V
(EN)SEMELAB
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -160 V
(EN)
SEMELAB
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 160 V
(EN)
SEMELAB
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 200 V
(EN)SEMELAB
晶体管, MOSFET, 音频, N沟道, 16 A, 200 V
(EN)SEMELAB
晶体管, MOSFET, 音频, P沟道, -16 A, -160 V
(EN)SEMELAB
晶体管, MOSFET, P沟道, -16 A, -160 V
(EN)SEMELAB
晶体管, MOSFET, 音频, P沟道, -16 A, -200 V
(EN)
