产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：阈值电压 Vgs -4V,
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 6.8 A, -100 V, 480 mohm, -10 V, -4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -100 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, 17 A, -60 V, 120 mohm, -10 V, -4 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, HEXDIP
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, P沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -200 V, 3 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 14A, TO-220AB
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 13 A, -100 V, 205 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -100 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -22 A, -100 V, 96 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, P沟道, -55V, 42A, D2-PAK
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, P沟道, -55V, 31A, D2-PAK
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, TO-220AB
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 6.7A
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -200 V, 500 mohm, -10 V, -4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -19 A, -100 V, 0.2 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.8 A, -400 V, 7 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 22 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, -33.5A
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -6.5 A, -200 V, 0.8 ohm, -10 V, -4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -5.6 A, -100 V, 0.6 ohm, -10 V, -4 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 700 mA, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
