产品分类：IGBT阵列和模块,规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 100 A, 3.8 V, 480 W, 1.2 kV, EconoPACK
(EN)
POWEREX
模块, 晶体管, IGBT, 1200V, 600A, IGBTMOD
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 2.3 V, 450 W, 1.2 kV, SOT-227B
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 660 A, 2 V, 1.7 kV, Module
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 134 A, 3.5 V, 690 W, 1.2 kV, SOT-227B
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 45 A, 1.85 V, 205 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 83 A, 1.85 V, 335 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.85 V, 205 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 400 A, 1.45 V, 940 W, 600 V, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 675 A, 1.75 V, 2.25 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 395 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 840 A, 1.95 V, 3.35 kW, 1.7 kV, Module
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 105 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, SOT-227B
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 300 A, 1.55 V, 940 W, 650 V, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 600 A, 1.75 V, 4.05 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 2.4 kA, 2.47 V, 9.76 kW, 1.7 kV, Module
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, 2件, N沟道, 150 A, 2.6 V, 780 W, 1.2 kV, Module
(EN)FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 2.35 V, 500 W, 600 V, Module
(EN)FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.85 V, 1.07 kW, 1.2 kV, Module
(EN)FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 2.05 V, 1.04 kW, 1.2 kV, Module
(EN)FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 1.75 V, 1.5 kW, 1.2 kV, Module
(EN)FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 400 A, 2.05 V, 2.045 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module
(EN)
