NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
ON SEMICONDUCTOR
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
MULTICOMP
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 200 MHz, 350 mW, 100 mA, 290 hFE
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -12 V, 625 mW, -1 A, 80 hFE
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, 0.46 电阻比率
INFINEON
射频晶体管, NPN, 12V, SOT-23
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 500 mA, 160 hFE
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 10 MHz, 15 W, 1 A, 30 hFE
NEXPERIA
晶体管 双极-射频, NPN, 65 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 450 hFE
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 0.021A, SOT-23-3
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 80 MHz, 200 mW, -500 mA, 250 hFE
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 50 hFE
ON SEMICONDUCTOR
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 460 mW, -500 mA, 40 hFE
INFINEON
晶体管 双极-射频, AEC-Q101, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 100 hFE
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q100, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率