ROHM
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -50 V, 320 MHz, 2 W, -2 A, 180 hFE
ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 16 A, 1.65 V, 94 W, 650 V, TO-263S, 3 引脚
ROHM
二极管, 碳化硅肖特基, AEC-Q101 650V系列, 双共阴极, 650 V, 20 A, 15 nC, TO-247
ROHM
Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, 18 V, 5.6 V
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晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率