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晶体管, MOSFET, NextPowerS3, N沟道, 100 A, 25 V, 0.00182 ohm, 10 V, 1.68 V
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双极晶体管阵列, NPN, PNP, 20 V, 2.3 W, 7.5 A, 300 hFE, SOIC
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
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单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -100 V, 116 MHz, 1.3 W, -6 A, 10 hFE
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单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 45 V, 100 MHz, 280 mW, 100 mA, 200 hFE
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单晶体管 双极, 通用, NPN, 50 V, 80 MHz, 200 mW, 150 mA, 200 hFE
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双极晶体管阵列, 双NPN, 60 V, 510 mW, 2 A, 50 hFE, SOT-1118
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单管二极管 齐纳, 6.8 V, 250 mW, TO-236AB, 2 %, 3 引脚, 150 °C
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晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm
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晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 2950 μohm, 10 V, 1.7 V
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单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 900 mW, 500 mA, 250 hFE