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晶体管, MOSFET, 沟槽式, N沟道, 7.3 A, 12 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 600 mV

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.046 电阻比率

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率

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单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -45 V, 100 MHz, 280 mW, -100 mA, 420 hFE

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, 0.46 电阻比率

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率

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单晶体管 双极, NPN, 15 V, 500 MHz, 200 mW, 200 mA, 20 hFE

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率

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单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 45 V, 100 MHz, 280 mW, 100 mA, 420 hFE

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率

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单晶体管 双极, PNP, -20 V, 80 MHz, 1.1 W, -4 A, 400 hFE

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齐纳二极管, 3.3V, 1W, SOT-89-3

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二极管阵列 齐纳, 11 V, 双共阳极, 425 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-663

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晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 40 V, 0.0178 ohm, 10 V, 3 V

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率

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单晶体管 双极, PNP, -60 V, 110 MHz, 1.35 W, -6 A, 20 hFE

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

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单管二极管 齐纳, 20 V, 1.5 W, SOT-223, 5 %, 4 引脚, 150 °C

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整流器, 肖特基, 500mA, 40V, SOT-23

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二极管 小信号, 单, 300 V, 200 mA, 1.1 V, 50 ns, 9 A