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单管二极管 齐纳, 3.3 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C

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肖特基整流器, 单, 40 V, 1 A, SOD-123W, 2 引脚, 490 mV

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单管二极管 齐纳, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 1 %, 3 引脚, 150 °C

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率

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单管二极管 齐纳, 7.5 V, 550 mW, SOD-323F, 5 %, 2 引脚, 150 °C

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晶体管, MOSFET, TrenchMOS, N沟道, 62 A, 80 V, 0.0113 ohm, 10 V, 1.7 V

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单管二极管 齐纳, 20 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C

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小信号肖特基二极管, 单, 4 V, 30 mA, 600 mV, 150 °C

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单晶体管 双极, PNP, -20 V, 85 MHz, 770 mW, -6.6 A, 400 hFE

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双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双NPN, 100 V, 1.25 W, 3 A, 10 hFE, SOT-1205

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单晶体管 双极, PNP, -150 V, 115 MHz, 520 mW, -1 A, 220 hFE

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晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 29.3 mohm, 10 V, 3 V

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二极管 小信号, 单, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A

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晶体管, MOSFET, NextPowerS3, N沟道, 70 A, 25 V, 0.00493 ohm, 10 V, 1.8 V

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双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.055 ohm, -4.5 V, -650 mV

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单管二极管 齐纳, 3 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C

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二极管 小信号, 双共阴极, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 3 μs, 4 A

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单管二极管 齐纳, 22 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C

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晶体管, MOSFET, N沟道, 66 A, 30 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.83 V

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单管二极管 齐纳, 39 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C

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齐纳二极管, 250mW, 6.8V, SOT-23

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肖特基整流器, 单, 20 V, 500 mA, SOD-323F, 2 引脚, 390 mV

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晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 1.45 V

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单管二极管 齐纳, 62 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C

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单晶体管 双极, PNP, -60 V, 145 MHz, 420 mW, -1 A, 100 hFE